同透射電子顯微鏡基本相同，只是電壓特別高。TEM使用的加速電壓是50～100kV，而HVEM使用的電壓是200～1000kV。由于電壓高，就會(huì)大大減少造成染色體畸變的可能，因此，可以用較厚的細(xì)胞切片研究細(xì)胞的結(jié)構(gòu)，切片的厚度最大可達(dá)1μm，相當(dāng)于普通TEM樣品厚度的10倍。